STPSC6H065价格
参考价格：￥14.5172
型号：STPSC6H065B-TR 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STPSC6H065多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STPSC6H065批发/采购报价，STPSC6H065行情走势销售排行榜，STPSC6H065报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STPSC6H065 | 650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 在应用电流范围内无反向恢复 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 绝缘封装TO-220AC插件： \n •Insulated voltage: 2500 V rms \n •Typical package capacitance: 7 pF; | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STPSC6H065 | 650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：218.31 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
汽车用650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 The SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patter • AEC-Q101 qualified \n• No reverse recovery charge in application current range \n• Switching behavior independent of temperature \n• Recommended to PFC applications \n• PPAP capable \n• ECOPACK®2 compliant component; | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
6 A、650 V碳化硅功率肖特基二极管 This 6 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and r • Less than 1 mm height package \n• High creepage package \n• No or negligible reverse recovery \n• Temperature independent switching behavior \n• High forward surge capability \n• Low drop forward voltage \n• Power efficient product \n• ECOPACK2 compliant component; | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：218.31 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
丝印代码：PSC6H065Y；Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：234.62 Kbytes Page：9 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：AUTOMOTIVE 650 V POWER SCHOTTKY 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
封装/外壳：TO-220-2 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：218.31 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：218.31 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：384.06 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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STPSC6H065产品属性
- 类型
描述
- Number of Diodes_spec：
1
- Marketing Status：
Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
650
- Average Rectified Current_max(A)：
6
- VF_max(V)：
1.75
- VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
6
- Reverse Current_max(mA)：
0.06
- Total capacitive charge(nC)：
17.9
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
60
- Junction Temperature_max(°C)：
175
- General Description：
650 V
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PVLogic |
24+ |
NA |
1448 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ST |
25+ |
STP5TO3P-5 |
20000 |
原装 |
|||
SAMSUNG/三星 |
26+ |
QFP |
99680 |
只做原装,欢迎来电资询 |
|||
ST |
26+ |
STP5TO3P-5 |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
STMicroelectronics Asia Pacifi |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ST(意法) |
25+ |
TO-220AC |
18798 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
SAMSUNG/三星 |
22+ |
QFP-256 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ST |
2432+ |
3200 |
15年芯片行业经验/只供原装正品：13570885961邹小姐 |
||||
SANKEN/三垦 |
2450+ |
TO3P-5 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
ST |
1824+ |
TO-220 |
4999 |
原装现货专业代理,可以代拷程序 |
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- STR100
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全新原装现货 支持第三方机构验证
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STPSC20H065CW，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-7-7
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