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STPSC10H12G2-TR

1200 V, 10 A, silicon carbide power Schottky diode

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意法半导体

STPSC10H12G2-TR

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:1200V, 10A, SILICON CARBIDE POWE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode

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意法半导体

Automotive 1200 V, 10 A, silicon carbide power Schottky diode

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更新时间:2025-9-28 8:30:00
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