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N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:998.2 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

STP80NE06-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP80NE06-1

  • 功能描述

    MOSFET RO 511-STP80NF06

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-16 15:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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TO220
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TO-220
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原装进口公司现货假一赔百
VBSEMI/台湾微碧
TO-220
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VBsemi
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80000
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ST-意法半导体
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