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N-channel900V,0.91廓typ.,6AMDmesh??K5PowerMOSFETinaTO-220package

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Ultra-lowgatecharge

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更新时间:2024-6-24 11:06:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
21+
TO-220-3
8800
公司只做原装正品
STM
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TO-220-3
2200
全新原装订货1周
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房间原装现货特价热卖,有单详谈
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2000
代理渠道.实单必成
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原装正品实单可谈 库存现货
ST/意法半导体
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原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
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