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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION Suitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputerapplication.Itisalsointendedforanyapplicationwithlowgatechargedriverequirements. FEATURES ·DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage:VDSS=6

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel60V-0.014ohm-60A-DPAK

Description ThisPowerMosfetseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-channel60V-0.014廓-60A-D2PAK/I2PAKSTripFET??IIPowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-channel60V-0.014廓-60ATO-220STripFETII??PowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-17 17:06:01
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ST
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