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STP45N60DM2AG

Extremely high dv/dt ruggedness

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意法半导体

STP45N60DM2AG

汽车级N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-220封装

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意法半导体

Fast-recovery body diode

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意法半导体

Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 廓 typ., 34 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

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意法半导体

更新时间:2025-9-28 18:28:00
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