STP38N65M5价格

参考价格:¥27.8690

型号:STP38N65M5 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STP38N65M5多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STP38N65M5批发/采购报价,STP38N65M5行情走势销售排行榜,STP38N65M5报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STP38N65M5

N-channel 650 V, 0.073, 30 A MDmesh V Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP38N65M5

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

STP38N65M5

N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET,TO-220封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES • Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 95mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Switching app

ISC

无锡固电

N-channel 650 V, 0.073, 30 A MDmesh V Power MOSFET

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-channel 650 V, 0.073, 30 A MDmesh V Power MOSFET

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意法半导体

STP38N65M5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP38N65M5

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 18:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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