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Extremely low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) -RDS(on) = 180mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

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意法半导体

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意法半导体

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意法半导体

更新时间:2026-1-4 17:19:01
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