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STP265N6F6AG | High avalanche ruggedness 文件：634.7 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STP265N6F6AG | Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Automotive N-channel 60 V, 2.3 mΩ typ., 180 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-247 package Features Designed for automotive applications Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technolo | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-9-28 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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