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Ultralowon-resistance

Description Thesedevicesutilizethe7thgenerationofdesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features •Ultralowon-resistance •100avalanchetested Applications •Switchin

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

Ultralowon-resistance

Description Thesedevicesutilizethe7thgenerationofdesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features •Ultralowon-resistance •100avalanchetested Applications •Switchin

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-24 17:19:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
NA
25630
原装正品
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公司原装现货/支持实单
ST/意法半导体
TO-252-3
6000

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