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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 文件：633.74 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 500V - 0.15廓 - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：463.2 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
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STP21NM50产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP21NM50
- 功能描述
MOSFET N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
TO-220F |
86720 |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
|||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
STMICRO |
2526+ |
原厂封装 |
12500 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
|||
ST |
2015+ |
TO220A |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
INTERSIL |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220F |
26353 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ST |
23+ |
TO220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
ST |
2023+ |
S |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
|||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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