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STP110N55F6

N-channel 55 V, 4.3 m, 110 A TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

文件:409.12 Kbytes Page:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP110N55F6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP110N55F6

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-9 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST(意法半导体)
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20+
TO-220
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