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P-channel-30V,9m廓typ.,-62ASTripFET??H6PowerMOSFETinaPowerFLAT5x6package

Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™H6technology, withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness 

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-6-24 16:09:01
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