型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STL16N65M5

N-channel 650 V, 0.270 ohm, 12 A PowerFLAT 8x8 HV

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL16N65M5

N-channel 650 V, 0.270 ohm, 12 A PowerFLAT 8x8 HV

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh V Power MOSFET in DPAK, DPAK

Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh V Power MOSFET in DPAK, DPAK

Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel Mosfet Transistor

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ISC

无锡固电

N-channel 650 V, 0.230 廓, 12 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK, DPAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 650 V, 0.230 廓, 12 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK, DPAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL16N65M5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STL16N65M5

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 650V 0.27 Ohm 12A Mdmesh V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 18:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
13+
QFN
23900
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法
13+
QFN
23900
ST
20+
DFN33
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST/意法半导体
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ST/意法
2450+
QFN
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ST
25+23+
QFN
28043
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST
23+
DFN5X6
16900
正规渠道,只有原装!
ST
22+
4PowerFlat? HV
9000
原厂渠道,现货配单
ST/意法
23+
DFN5X6
50000
全新原装正品现货,支持订货

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