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STB100N10F7	N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications • Switching applications Description These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trenc	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB100N10F7-TP	N-Channel Power MOSFET Application « Motor control and drives « Load switch « Power management « PWM Application	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
STB100N10F7	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：315.65 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STB100N10F7	N-channel 100 V, 0.0068 廓 typ., 80 A, STripFET??VII DeepGATE??Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 文件：1.6682 Mbytes Page：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD100N10F7	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.15 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2026-1-28 15:08:00

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2024-1-16
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STL18N65M2 MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET
2023-9-1
STL120N10F8 STripFET F8 功率 MOSFET
STMicroelectronics 的100 V 器件采用了 STripFET F8 沟槽 MOSFET 技术制造
2023-6-27
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2023-5-11
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