位置：首页 > IC中文资料 > STH13N120K5-2AG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STH13N120K5-2AG | Automotive-grade N-channel 1200 V, 0.62 typ., 12 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK‑2 package Features • AEC-Q101 qualified • Industry’s lowest RDS(on) x area • Industry’s best FoM (figure of merit) • Ultra-low gate charge • 100 avalanche tested • Zener-protected Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovati | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STH13N120K5-2AG | 汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-9-28 9:53:00
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