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STH13N120K5-2AG

Automotive-grade N-channel 1200 V, 0.62 typ., 12 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK‑2 package

Features • AEC-Q101 qualified • Industry’s lowest RDS(on) x area • Industry’s best FoM (figure of merit) • Ultra-low gate charge • 100 avalanche tested • Zener-protected Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovati

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STH13N120K5-2AG

汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,H2PAK-2封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-11-17 18:59:00
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