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STGYA75H120DF2

Trench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package

Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 5 μs of short-circuit withstand time • VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A • Tight parameter distribution • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Very fast recovery antiparallel diode Description This

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意法半导体

STGYA75H120DF2

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGYA75H120DF2

1200 V、75 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装

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意法半导体

更新时间:2025-9-26 12:00:00
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