位置：首页 > IC中文资料 > STGYA50M120DF3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGYA50M120DF3 | Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT in a Max247 long leads package Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 10 μs of short-circuit withstand time • Low VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 50 A • Tight parameter distribution • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft- and fast-recovery antiparallel diode Descript | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGYA50M120DF3 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-8-16 11:10:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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