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STGYA50M120DF3

Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT in a Max247 long leads package

Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 10 μs of short-circuit withstand time • Low VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 50 A • Tight parameter distribution • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft- and fast-recovery antiparallel diode Descript

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGYA50M120DF3

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGYA50M120DF3

1200 V、50 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT,Max247长引线封装

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意法半导体

更新时间:2025-9-30 20:00:00
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