位置：首页 > IC中文资料 > STGYA50H120DF2
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGYA50H120DF2 | Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 5 μs of short-circuit withstand time • Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A • Tight parameter distribution • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Very fast recovery antiparallel diode Description T | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGYA50H120DF2 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGYA50H120DF2 | 1200 V、50 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，Max247长引线封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
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ST(意法) |
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2020-7-9
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