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STGYA120M65DF2AG

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package

Features • AEC-Q101 qualified • 6 μs of short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft and very fast recovery antiparallel diode • Maximum j

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意法半导体

STGYA120M65DF2AG

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

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意法半导体

更新时间:2025-8-9 12:01:00
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