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STGYA120M65DF2AG

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package

Features • AEC-Q101 qualified • 6 μs of short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft and very fast recovery antiparallel diode • Maximum j

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意法半导体

STGYA120M65DF2AG

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGYA120M65DF2AG

汽车级650 V、120 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT,Max247长引线封装

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意法半导体

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

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意法半导体

更新时间:2025-9-26 10:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
2511
MAX-247-3
5904
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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