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STGYA120M65DF2 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss 文件：958.25 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package Features • AEC-Q101 qualified • 6 μs of short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft and very fast recovery antiparallel diode • Maximum j | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST(意法) |
2511 |
TO-247-3 裸露焊盘 |
5904 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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ST/意法 |
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MAX-247-3 |
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ST |
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Max247 long leads |
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2020-7-9
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