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STGYA120M65DF2 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss 文件：958.25 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGYA120M65DF2 | 650 V、120 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package Features • AEC-Q101 qualified • 6 μs of short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft and very fast recovery antiparallel diode • Maximum j | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
汽车级650 V、120 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT，Max247长引线封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
- |
928 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST |
25+ |
TO-247 |
36000 |
只做原装正品，假一赔十 |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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ST |
23+ |
Max247 long leads |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
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ST |
2022+ |
TO-247 |
500 |
只做原装，可提供样品 |
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ST/意法 |
2450+ |
MAX-247-3 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ST/意法 |
24+ |
MAX247 |
6000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
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ST/意法 |
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2020-7-9
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