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STGYA120M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

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意法半导体

STGYA120M65DF2

650 V、120 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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意法半导体

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package

Features • AEC-Q101 qualified • 6 μs of short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft and very fast recovery antiparallel diode • Maximum j

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意法半导体

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

汽车级650 V、120 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT,Max247长引线封装

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意法半导体

更新时间:2025-9-26 10:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-247-3 裸露焊盘
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