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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STGWA75H65DFB2 | Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO‑247 long leads package Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A • Very fast and soft recovery co-packaged diode • Minimized tail current • Tight parameter distribution • Low thermal resistance • Positive VCE(sat) temperature coefficient Applications • Weld | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGWA75H65DFB2 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGWA75H65DFB2 | Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
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ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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STM |
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TO-247-3 (Long Leads) |
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20094 |
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ST |
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2020-7-9
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