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STGWA75H65DFB2

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO‑247 long leads package

Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A • Very fast and soft recovery co-packaged diode • Minimized tail current • Tight parameter distribution • Low thermal resistance • Positive VCE(sat) temperature coefficient Applications • Weld

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGWA75H65DFB2

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-16 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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