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STGWA25H120F2

Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries1200V,25Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartoftheHseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofhigh switchingfrequency

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STGWA25H120F2

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries1200V,25Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartoftheHseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofhigh switchingfrequency

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更新时间:2025-8-2 18:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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ST系列在售,可接长单
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原装现货只有原装.假一罚十
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