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STGW40V60DLF价格
参考价格：￥12.5156
型号：STGW40V60DLF 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGW40V60DLF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGW40V60DLF批发/采购报价，STGW40V60DLF行情走势销售排行榜，STGW40V60DLF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGW40V60DLF | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed 文件：1.28659 Mbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGW40V60DLF | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 80A 283W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGW40V60DLF | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER 文件：118.65 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | | ||
40A 60V MOS Schottky Rectifier 文件：776.35 Kbytes Page：7 Pages | PFC 节能元件 | | ||
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STGW40V60DLF产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGW40V60DLF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 配置
Single 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
2.35 V
- 栅极/发射极最大电压
+/- 20 V 在25
- C的连续集电极电流
80 A
- 栅极—射极漏泄电流
250 nA
- 功率耗散
283 W
- 最大工作温度
+ 175 C
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2447 |
TO247 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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正规渠道,只有原装! |
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ST/意法 |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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原厂原封装 |
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原装进口现货 假一罚百 |
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9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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原装，请咨询 |
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ST/意法半导体 |
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STGW40V60DLF规格书下载地址
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