STGW19NC60H价格

参考价格:¥7.9656

型号:STGW19NC60H 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGW19NC60H多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGW19NC60H批发/采购报价,STGW19NC60H行情走势销售排行榜,STGW19NC60H报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGW19NC60H

19A-600V-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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STGW19NC60H

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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STGW19NC60H

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 42A 140W TO-247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 42A 140W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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19A-600V-veryfastIGBTE[

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19A-600V-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi

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20A-600V-shortcircuitruggedIGBT

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STGW19NC60H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGW19NC60H

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 19 A 600V FAST IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 23:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
21+
TO-247-3
8800
公司只做原装正品
STM
23+
TO-247
20000
全新原装假一赔十
ST
21+
TO-247-3
30
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法
24+
TO247
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
ST(意法半导体)
23+
TO2473
6000
ST/意法半导体
21+
TO-247-3
12820
公司只做原装,诚信经营
TO247
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
ST/意法
24+
TO-247
860000
明嘉莱只做原装正品现货
STM
23+
TO-247-3
50000
原装正品 支持实单
ST/意法半导体
2023
TO-247-3
6000
公司原装现货/支持实单

STGW19NC60H芯片相关品牌

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