型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGF30NC60S

30 A, 600 V, fast IGBT

Features ■ Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ High current capability Application Motor drive Description This device utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off betw

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意法半导体

STGF30NC60S

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 22A 40W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGF30NC60S

30 A, 600 V, fast IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) ■ Short circuit withstand time 10

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - ultra fast IGBT

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意法半导体

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

N-channel 30A - 600V - TO-247 - TO-220 Ultra fast switching PowerMESH TM IGBT

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STGF30NC60S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGF30NC60S

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-2 17:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO-220F
10000
专做原装正品,假一罚百!
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24+
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原厂封装
9800
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