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位置：首页 > IC中文资料第642页 > STGF12NB60KD

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGF12NB60KD

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 14A 30W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGP12NB60H

N-CHANNEL12A-600VTO-220PowerMESHIGBT

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESHIGBTs,withoutstandingperfomances.Thesuffix”H”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequen

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGP12NB60HD

N-CHANNEL12A-600VTO-220PowerMESH??IGBT

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperfomances.ThesuffixHidentifiesafamilyoptimizedforhighfrequencyapplications(upto50kHz)inorder

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGB12NB60KD

N-CHANNEL18A-600VTO-220/D2PAKSHORTCIRCUITPROOFPowerMESHIGBT

文件：531.51 Kbytes Page：11 Pages

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意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGP12NB60K

N-CHANNEL18A-600VTO-220SHORTCIRCUITPROOFPowerMESH??IGBT

文件：906.06 Kbytes Page：9 Pages

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意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGP12NB60KD

N-CHANNEL18A-600VTO-220/D2PAKSHORTCIRCUITPROOFPowerMESHIGBT

文件：531.51 Kbytes Page：11 Pages

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意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STGF12NB60KD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGF12NB60KD

  • 功能描述

    IGBT N-CH 12A 600V TO-220FP

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    PowerMESH™

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

STGF12NB60KD供应商更多...

更新时间：2024-6-1 12:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
STGF14NC60KD
STM
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