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STGD3NC120H-1

7 A, 1200 V very fast IGBT

Features ■ High voltage capability ■ High speed Applications ■ Home appliance ■ Lighting Description This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGD3NC120H-1

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:IGBT 1200V 16A IPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-9 20:00:00
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