STGD10NC60HDT4价格

参考价格:¥7.1223

型号:STGD10NC60HDT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGD10NC60HDT4多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGD10NC60HDT4批发/采购报价,STGD10NC60HDT4行情走势销售排行榜,STGD10NC60HDT4报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGD10NC60HDT4

600V-10A-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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STGD10NC60HDT4

600V-10A-veryfastIGBT

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STGD10NC60HDT4

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 20A 62W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

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STGD10NC60HDT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD10NC60HDT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600 Volt 10 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-12 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
2016+
TO252
5000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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93480
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柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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TO252
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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D2PAK
96847
ST/意法半导体
21+
DPAK-3
8800
公司只做原装正品

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