STGB7NC60HDT4价格

参考价格:¥4.9771

型号:STGB7NC60HDT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGB7NC60HDT4多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGB7NC60HDT4批发/采购报价,STGB7NC60HDT4行情走势销售排行榜,STGB7NC60HDT4报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGB7NC60HDT4

N-CHANNEL14A-600V-TO-220/TO-220FP/DPAKVeryFastPowerMESHIGBT

GeneralFeatures ■LOWERON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT ■LOSSESINCLUDEDIODERECOVERY ENERGY ■LOWERCRES/CIESRATIO ■HIGHFREQUENCYOPERATIONUPTO70 KHz ■VERYSOFTULTRAFASTRECOVERYANTI PARALLELDIODE ■NEWGENERATIONPRODUCTSWITH TIGHTERPARAMETER

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
STGB7NC60HDT4

N-channel14A,600V,veryfastIGBTwithUltrafastdiode

Description ThesedevicesareveryfastIGBTdeveloped usingadvancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features ■Lowo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

STGB7NC60HDT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB7NC60HDT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-6 15:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
07+/08+
TO-263
7500
ST
23+
D2PAK
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
ST/意法半导体
21+
D2PAK-3
8860
只做原装,质量保证
ST
2020+
TO-263
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ST/意法
TO-263-3
265209
假一罚十,原包原标签,常备现货
STMicro.
23+
DPAK
7750
全新原装优势
ST/意法半导体
23+
D2PAK-3
7188
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持
ST
23+
TO-263
25000
原厂/代理渠道 价格优势
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ST
18+
TO-263
85600
保证进口原装可开17%增值税发票

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