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STGB6NC60HDT4价格
参考价格：￥3.2308
型号：STGB6NC60HDT4 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGB6NC60HDT4多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGB6NC60HDT4批发/采购报价，STGB6NC60HDT4行情走势销售排行榜，STGB6NC60HDT4报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STGB6NC60HDT4 | N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：406.44 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGB6NC60HDT4 | N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH??IGBT 文件：424.69 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT 文件：224.28 Kbytes Page：9 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：467.28 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STGB6NC60HDT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB6NC60HDT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-13 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
D2PAK |
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ST/意法 |
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NA/ |
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2022-2-17
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