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STGB50H65FB2

Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D²PAK package

Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A • Minimized tail current • Tight parameter distribution • Low thermal resistance • Positive VCE(sat) temperature coefficient Applications • Welding • Power factor correction • UPS • Solar in

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGB50H65FB2

Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-1-5 17:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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