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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STGB50H65FB2 | Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D²PAK package Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A • Minimized tail current • Tight parameter distribution • Low thermal resistance • Positive VCE(sat) temperature coefficient Applications • Welding • Power factor correction • UPS • Solar in | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGB50H65FB2 | Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-9-25 18:57:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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