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STGB25N40LZAG

Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ

Features • AEC-Q101 qualified • SCIS energy of 320 mJ @ TJ = 25 °C • Parts are 100 tested in SCIS • ESD gate-emitter protection • Gate-collector high voltage clamping • Logic level gate drive • Very low saturation voltage • High pulsed current capability • Gate and gate-emitter resistor

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGB25N40LZAG

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:POWER TRANSISTORS 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

400V, 26A N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

Fast Switching

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

更新时间:2025-8-17 22:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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ST/意法半导体
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STMicroelectronics
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ST/意法半导体
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ST/意法半导体
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