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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STGB18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT Description This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGB18N40LZ-1 | 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：管件 描述：IGBT 420V 30A 150W I2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGB18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT 文件：636.58 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGB18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT 文件：896 Kbytes Page：19 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
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EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT 文件：636.58 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STGB18N40LZ-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB18N40LZ-1
- 功能描述
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400V IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO220MONOC.. |
8866 |
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ST |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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STMICROELECTRONICS |
24+ |
NA |
21000 |
原装现货,专业配单专家 |
|||
ST |
24+ |
TO263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
ST |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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ST/意法 |
23+ |
TO263 |
32732 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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ST(意法半导体) |
2447 |
D-PAK |
105000 |
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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STMICROELECTRONICS |
21+ |
标准封装 |
100 |
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