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STGB18N40LZ-1

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

Description This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot

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意法半导体

STGB18N40LZ-1

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 包装:管件 描述:IGBT 420V 30A 150W I2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGB18N40LZ-1

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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意法半导体

STGB18N40LZ-1

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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意法半导体

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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意法半导体

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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STGB18N40LZ-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB18N40LZ-1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400V IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-18 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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