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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGB12NB60KDT4 | N-CHANNEL18A-600VTO-220/D2PAKSHORTCIRCUITPROOFPowerMESHIGBT 文件：531.51 Kbytes Page：11 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
STGB12NB60KDT4 | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 30A 125W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
STGB12NB60KDT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB12NB60KDT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2024-5-21 22:30:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2020+ |
TO263 |
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ST |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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原封 |
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2022-5-7STF40NF20 ST/意法 21+ TO-220F
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