STGB10NB37LZT4价格

参考价格:¥13.0977

型号:STGB10NB37LZT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGB10NB37LZT4多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGB10NB37LZT4批发/采购报价,STGB10NB37LZT4行情走势销售排行榜,STGB10NB37LZT4报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGB10NB37LZT4

10 A - 410 V internally clamped IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. The built in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gateemitter Zener supplies an ESD protection. Feat

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGB10NB37LZT4

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 440V 20A 125W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGB10NB37LZT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB10NB37LZT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-14 23:01:00
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ST(意法半导体)
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