位置：首页 > IC中文资料第117页 > STE180NE10
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STE180NE10 | N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switching application | ISC 无锡固电 |   | |
STE180NE10 | N-CHANNEL 100V - 4.5 mohm - 180A ISOTOP STripFET] POWER MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5m廓 - 180A - ISOTOP STripFET??Power MOSFET 文件：247.38 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5mΩ - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 100V - 4.5m廓 - 180A - ISOTOP STripFET??Power MOSFET 文件：247.38 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STE180NE10产品属性
- 类型
描述
- 型号
STE180NE10
- 功能描述
MOSFET N-Ch 100 Volt 180 A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XZC |
20+ |
QFP80 |
500 |
样品可出,优势库存欢迎实单 |
|||
STANSON/司坦森 |
25+ |
90000 |
全新原装现货 |
||||
XZC |
24+ |
QFP80 |
2043 |
||||
ST |
24+ |
ISOTOP |
224 |
原装现货假一罚十 |
|||
STANSON |
24+ |
SOT-23-6L |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
XZC |
24+ |
QFP |
44100 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18746 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
ST |
2511 |
ISOTOP |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
STANSON |
2450+ |
SMD |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
STANSON/司坦森 |
2026+PB |
SOD-523 |
90000 |
全新Cnnpchip |
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