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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STE180NE10 | N-CHANNEL 100V - 4.5 mohm - 180A ISOTOP STripFET] POWER MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STE180NE10 | N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switching application | ISC 无锡固电 | | |
STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5mΩ - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5m廓 - 180A - ISOTOP STripFET??Power MOSFET 文件：247.38 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 100V - 4.5m廓 - 180A - ISOTOP STripFET??Power MOSFET 文件：247.38 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STE180NE10产品属性
- 类型
描述
- 型号
STE180NE10
- 功能描述
MOSFET N-Ch 100 Volt 180 A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
MODULE |
2100 |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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25+23+ |
30298 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST |
23+ |
ISOTOP |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ST |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
ST |
06+ |
SOP |
60 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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N/A |
ROHS+Original |
NA |
20 |
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子 |
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ST |
2511 |
ISOTOP |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ST |
25+ |
ISOTOP |
16900 |
原装，请咨询 |
STE180NE10规格书下载地址
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