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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STE180NE10 | N-CHANNEL 100V - 4.5 mohm - 180A ISOTOP STripFET] POWER MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STE180NE10 | N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switching application | ISC 无锡固电 | | |
STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5mΩ - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5m廓 - 180A - ISOTOP STripFET??Power MOSFET 文件：247.38 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 100V - 4.5m廓 - 180A - ISOTOP STripFET??Power MOSFET 文件：247.38 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STE180NE10产品属性
- 类型
描述
- 型号
STE180NE10
- 功能描述
MOSFET N-Ch 100 Volt 180 A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
ISOTOP |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ST |
25+ |
ISOTOP |
16900 |
原装，请咨询 |
|||
ST/意法 |
23+ |
SOP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
MODULE |
2100 |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
||||
三肯 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
|||||
ST |
23+ |
ISOTOP |
8000 |
只做原装现货 |
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ST/意法 |
23+ |
SOP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ST |
05+ |
原厂原装 |
165 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
ST |
22+ |
ISOTOP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST/意法 |
18+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
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