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N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

VBSEMI

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Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

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更新时间:2026-5-24 23:36:01
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