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STD40P3LLH6

P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -40 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology witha new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very lowRDS(on) in all packages.\n • Very low on-resistance\n• Very low gate charge• High avalanche ruggedness\n• Low gate drive power loss;

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD40P3LLH6

丝印代码:40P3LLH6;P-channel -30 V, 12 m廓 typ., -40 A STripFET??H6 Power MOSFET in a DPAK package

文件:734.16 Kbytes Page:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD40P3LLH6产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    -30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω):

    0.0225

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.015

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    -40

  • PTOT_max(W):

    60

  • Qg_typ(nC):

    24

更新时间:2026-5-24 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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