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STCV10800RBY4

Gallium Nitride 50V, 800W,0.6-1GHz RF Power Transistor

Description The STCV10800RBY4 is a 800watt Doherty pair capable, GaN HEMT, ideal for for 4G/5G cellular applications up to 1GHz. It can be configured as asymmetrical Doherty delivering 100-115W average power, according to normal 8-9dB back off. There is no guarantee of performance when this p

INNOGRATION

远创达科技

更新时间:2025-10-1 21:55:00
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