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STBV42130C9

GaN HEMT 50V, 130W,3.7-4.2GHz Full band RF Power Transistor

Description The STBV42130C9 is a dual path 130watt,Internally matched GaN HEMT, ideal for applications from 3.7 to 4.2GHz full band operation especially for LTE/5G. There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. Applications  Asymmetrical Doherty

INNOGRATION

远创达科技

更新时间:2025-8-14 9:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO92
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST/意法
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