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STBV42130C9

GaN HEMT 50V, 130W,3.7-4.2GHz Full band RF Power Transistor

Description The STBV42130C9 is a dual path 130watt,Internally matched GaN HEMT, ideal for applications from 3.7 to 4.2GHz full band operation especially for LTE/5G. There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. Applications  Asymmetrical Doherty

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远创达

更新时间:2025-11-25 20:00:00
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