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BQ500100	bq500100 20-V, High-Side Current Sensor for Wireless Charging 1 Features • Wide Common-Mode Range: 0 V to 20 V • Offset Voltage: ±150 μV (Maximum) – Enables Shunt Drops of 10-mV Full-Scale • Accuracy: ±2% Gain Error (Maximum Overtemperature) • Fixed Gain: 50 V/V • Low Quiescent Current: 100 μA (Maximum) • Small Package: SC70 2 Applications •	TI 德州仪器	TI
BQ500100DCKR	bq500100 20-V, High-Side Current Sensor for Wireless Charging 1 Features • Wide Common-Mode Range: 0 V to 20 V • Offset Voltage: ±150 μV (Maximum) – Enables Shunt Drops of 10-mV Full-Scale • Accuracy: ±2% Gain Error (Maximum Overtemperature) • Fixed Gain: 50 V/V • Low Quiescent Current: 100 μA (Maximum) • Small Package: SC70 2 Applications •	TI 德州仪器	TI
BQ500100DCKR.B	bq500100 20-V, High-Side Current Sensor for Wireless Charging 1 Features • Wide Common-Mode Range: 0 V to 20 V • Offset Voltage: ±150 μV (Maximum) – Enables Shunt Drops of 10-mV Full-Scale • Accuracy: ±2% Gain Error (Maximum Overtemperature) • Fixed Gain: 50 V/V • Low Quiescent Current: 100 μA (Maximum) • Small Package: SC70 2 Applications •	TI 德州仪器	TI
BQ500100	High-Side Current Sensor for Wireless Charging 文件：332.41 Kbytes Page：18 Pages	TI 德州仪器	TI
BQ500100DCKR	High-Side Current Sensor for Wireless Charging 文件：332.41 Kbytes Page：18 Pages	TI 德州仪器	TI

STBA500100供应商更多...

更新时间：2025-11-19 20:13:02

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STB35N65DM2
STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET，具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择，将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。
2023-11-24
STBR3012G2Y-T
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2022-12-14
STB13NM60N
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2022-8-11
STBC08PMR
STBC08PMR 电池充电管理芯片 ST 封装DFN6
2022-8-2
STC-1000V-0.15UF-2V 脚距27.5
STC-1000V-0.15UF-2V 脚距27.5电容现货元器件配单
2022-1-10
STB20N90K5 瑞智芯只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：STB20N90K5 类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商 STMicroelectronics 包装：1000 封装：TO-263-3
2021-9-18