位置:首页 > IC中文资料第1216页 > STB8NM60D
STB8NM60D价格
参考价格:¥7.7908
型号:STB8NM60D 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB8NM60D多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB8NM60D批发/采购报价,STB8NM60D行情走势销售排行榜,STB8NM60D报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
STB8NM60D | N-CHANNEL600V-0.9廓-8A-TO-220/D2PAKFastDiodeMDmesh??PowerMOSFET Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters Generalfeatures ■Highdv/dtandavalanchecapabilities | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | ||
STB8NM60D | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
STB8NM60D | N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件:1.10877 Mbytes Page:10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | ||
8.0A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC8NM60isahighvoltagesuperjunctionMOSFET andisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfast switchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhave ahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETis usuallyusedathighspeedswitching | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
N-channel650V@Tjmax,0.9Ω,8AMDmesh™PowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,DPAK,IPAK Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | |||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件:1.10575 Mbytes Page:10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件:1.10714 Mbytes Page:10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件:1.10581 Mbytes Page:10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 |
STB8NM60D产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB8NM60D
- 功能描述
MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-263 |
7500 |
||||
ST/意法 |
2402+ |
TO263 |
8324 |
原装正品!实单价优! |
|||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-263-3 |
238 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
ST |
24+ |
D2PAK |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
STM原厂目录 |
24+ |
D2PAK |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
|||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ST |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
STB8NM60D规格书下载地址
STB8NM60D参数引脚图相关
- tda2030功放电路
- tda2030a
- tda2030
- tda2003功放电路图
- tda16846
- t7272
- t680
- t5007
- t5006
- t4242
- t40
- t2222
- t2010
- t100k
- sw-262
- stm32f103
- stm32
- stk
- stc89c52rc
- stc12c5a60s2
- STBP110GTDJ6F
- STBP110ETDJ6F
- STBP110CVDJ6F
- STBCFG01JR-CUTTAPE
- STBCFG01JR
- STBC21FTR
- STBC08PMR
- STBB3JR
- STBB3JCCR-CUTTAPE
- STBB3JCCR
- STBB2JAD-R-CUTTAPE
- STBB2JAD-R
- STBB2J30-R
- STBB2J29-R
- STBB1-APUR
- STBB062
- STBB056
- STBB051
- STBB047
- STBB043
- STBB039
- STBB036
- STBB033
- STBB030
- STBB027
- STBB024
- STBB022
- STBB020
- STBB018
- STBB016
- STBB015
- STBB013
- STBB012
- STBB011
- STBB010
- STB9NK90Z
- STB9NK60ZT4
- STB9NK50ZT4
- STB95N4F3
- STB8NM60T4
- STB8N65M5
- STB860
- STB85NF55T4
- STB85NF55LT4
- STB85NF3LLT4
- STB8444
- STB820S
- STB8200
- STB8150
- STB8120
- STB8100
- STB80NF55L-08-1
- STB80NF55L-06T4
- STB80NF55-08T4
- STB80NF55-06T4
- STB80NF55-06-1
- STB80NF10T4
- STB80NF03L-04T4
- STB80NF03L-04-1
- STB80N20M5
- STB7NK80ZT4
- STB7NK80Z-1
- STB7N52K3
- STB7ANM60N
- STB772
- STB76NF80
- STB76NF75
- STB75NH02LT4
- STB7109
- STB7104
- STB7103
- STB7102
- STB7101
- STB7100
- STB7003
- STB7002
- STB7001
- STB65G4
- STB65G0
- STB65E5
STB8NM60D数据表相关新闻
STB35N65DM2
STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET,具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择,将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。
2023-11-24STBR3012G2Y-T
https://hfx03.114ic.com
2022-12-14STB13NM60N
热卖-原装正品现货
2022-8-11STBC08PMR
STBC08PMR电池充电管理芯片ST封装DFN6
2022-8-2STC-1000V-0.15UF-2V 脚距27.5
STC-1000V-0.15UF-2V脚距27.5电容现货元器件配单
2022-1-10STB20N90K5 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:STB20N90K5 类别分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-单个 制造商STMicroelectronics 包装:1000 封装:TO-263-3
2021-9-18
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97