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STB60N03L-10

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175 oC OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB60N03L-10

N-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

STB60N03L-10

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB60N03L-10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB60N03L-10

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

更新时间:2025-10-15 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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