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STB50NE10L

N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A - D2PAK STripFET POWER MOSFET

DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remar

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET

Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkab

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 100V - 0.021廓 - 50A - D2PAK STripFET??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 27mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 100V - 0.021??- 50A TO-220 STripFET??Power MOSFET

Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkab

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB50NE10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB50NE10L

  • 功能描述

    MOSFET RO 511-STB40NF10L

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 18:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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TO-263
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST
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