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STB50NE10L	N-CHANNEL100V-0.020ohm-50A-D2PAKSTripFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB50NE10	N-CHANNEL100V-0.02ohm-50A-D2PAKSTripFET]POWERMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB50NE10	N-channel100V-0.021廓-50A-D2PAKSTripFET??PowerMOSFET 文件：412.37 Kbytes Page：13 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STP50NE10	N-channel100V-0.021??-50ATO-220STripFET??PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STP50NE10L	N-CHANNEL100V-0.020ohm-50ATO-220STripFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearema	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

STB50NE10L产品属性

类型
描述
型号
STB50NE10L
功能描述
MOSFET RO 511-STB40NF10L
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2025-6-11 16:06:00

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2021-9-18

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