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STB45N40DM2AG

Extremely low gate charge and input capacitance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB45N40DM2AG

汽车级N沟道400 V、0.063 Ohm典型值、38 A MDmesh DM2功率MOSFET,D2PAK封装

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意法半导体

Extremely low gate charge and input capacitance

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意法半导体

更新时间:2025-9-28 17:13:00
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