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N-channel 600 V, 0.085 廓 typ., 34 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a D짼PAK package

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 34A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 93mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.085 廓 typ., 34 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologi

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意法半导体

N-channel 600 V, 0.085 廓 typ., 34 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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意法半导体

Extremely high dv/dt ruggedness

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意法半导体

更新时间:2026-1-4 18:27:01
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