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STB42N60M2-EP

N-channel 600 V, 0.076 廓 typ., 34 A MDmesh??M2 EP Power MOSFETs in D짼PAK, TO-220 and TO-247 packages

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB42N60M2-EP

N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,D2PAK封装

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意法半导体

N-channel 600 V, 0.076 ??typ., 34 A MDmesh??M2 EP Power MOSFETs in TO-220FP and TO-3PF packages

Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 EP enhanced performance technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics with very low turn-off switching losses,

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N-channel 600 V, 0.076 ??typ., 34 A MDmesh??M2 EP Power MOSFETs in TO-220FP and TO-3PF packages

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更新时间:2025-11-18 19:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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ST/意法全新特价STB42N60M2-EP即刻询购立享优惠#长期有货
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