STB24NM60N价格

参考价格:¥18.0457

型号:STB24NM60N 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB24NM60N多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB24NM60N批发/采购报价,STB24NM60N行情走势销售排行榜,STB24NM60N报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STB24NM60N

N-channel 600 V, 0.168, 17 A MDmesh II Power MOSFET

Description These N-channel 600 V Power MOSFET devices are made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is theref

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB24NM60N

N沟道600 V、0.168 Ohm、17 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,D2PAK封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB24NM60N

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:314.4 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.200 廓, 16 A PowerFLAT??8x8 HV MDmesh??II Power MOSFET

文件:564.71 Kbytes Page:14 Pages

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:311.58 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.168 廓, 17 A MDmesh??II Power MOSFET

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意法半导体

STB24NM60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB24NM60N

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
3550
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SST
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ST/意法半导体
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