STB21N65M5价格

参考价格:¥11.5090

型号:STB21N65M5 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STB21N65M5多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB21N65M5批发/采购报价,STB21N65M5行情走势销售排行榜,STB21N65M5报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STB21N65M5

N-channel 650 V, 0.150 廓, 17 A MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, TO-220, I짼PAK, TO-247

Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB21N65M5

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

STB21N65M5

N沟道650 V、0.150 Ohm典型值、17 A MDmesh M5功率MOSFET,D2PAK封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 650 V, 0.150 廓, 17 A MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, TO-220, I짼PAK, TO-247

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 650 V, 0.175 廓, 17 A PowerFLAT??(8x8) HV ultra low gate charge MDmesh??V Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

STB21N65M5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB21N65M5

  • 功能描述

    MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 13:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
21+
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ST/意法
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    2021-9-18